皇冠集团网站：LED行业2013年下半年分析报告

长禁带半导体是尖端军事和节约能源产业的核心：比起于Si和GaAs材料，以GaN、SiC为代表的长禁带半导体凭借穿透电场强度低、饱和状态电子迁移率低、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强劲等特点，需要大幅度提高电子器件的高压、高频、高功率工作性能，在军事、新能源、电动汽车等领域应用于前景极大。　　LED之外，长禁带半导体功率器件开始崭露头角：目前GaN和SiC仅次于的应用领域为LED行业，构成了100亿美元的市场；除此之外，近两年在微波功率器件和电力电子器件领域开始南北商业化，我们指出未来两年GaN和SiC功率器件市场将开始较慢发展，潜在市场容量多达300亿美元，未来将在军事设备、光伏逆变器、电动汽车等领域开始逐步替代Si和GaAs功率器件。　　GaN是微波器件的选用，在军事领域将大展拳脚：GaN限于于高频大功率应用于，是微波器件尤为理想的材料，其功率密度是现有GaAs器件的10倍，将沦为下一代雷达技术的标准，美军干扰机和宙斯盾驱逐舰的相控阵雷达开始改装GaN产品，军用市场将在未来几年推展GaN微波器件的较慢发展。　　电力电子领域长禁带半导体需要减少50%的电力损耗，SiC限于于1200V以上高压应用于，GaN限于于中高压高频应用于：SiC单晶制取工艺比较成熟期，同质外延更容易制取横向结构的器件提升耐压性能，商业化的SiC器件耐压在600~1200V，限于于风力发电、铁路机车、电网等大功率应用于。

　　GaN异质外延缺失密度较小，目前不能制取纵向结构的器件，耐压性能提高更为艰难，但是GaN-on-Si成本较低，加之LED行业不存在大量MOCVD外延设备可以共用，未来未来将会较慢降低成本，普遍应用于UPS、光伏逆变器、电动汽车等领域。　　民用领域商业化加快，国内企业开始紧贴：2013PCIM和ICSCRM数家企业发售6寸SiC晶圆、SiC功率器件和600VGaN功率器件产品，2014年开始都将步入量产阶段，表明出有SiC和GaN功率器件在民用市场的商业化进程开始加快，而国内企业也开始紧贴这一领域；SiC的难题在于单晶制取，国内专门从事SiC晶圆生产的主要还包括山东天岳和天富热电，山东天岳已开始对外销售2~4英寸SiC晶圆，6寸晶圆将于2015年开始量产。　　GaN的难题在于外延生长，LED龙头三安光电早已已完成GaNHEMT功率器件的批量生产，转入样品测试阶段。

GaN功率元器件的外延制程同LED相似，并且对外延品质拒绝更高，我们指出LED芯片龙头企业如三安光电、德豪润达等凭借在LED外延方面的技术领先，未来在GaN功率器件领域也将占到得一席之地，关上新的利润快速增长空间。

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